Tweet
Buenos días y feliz año nuevo!
Estoy estudiando el grado en Ingeniería Informática y cursando la asignatura Fundamentos Físicos de la Informática (FFI), en donde estamos tratando tres temas relacionados con las características de los semiconductores tras haber estudiado los temas de las propiedades magnéticas i la inducción electromagnética.
Para el tema actual se presentan una serie de preguntas cortas tipo test relacionadas con los semiconductores (relacionadas con los materiales, conducción y elementos semiconductores) tales como:
1. Los átomos de los materiales semiconductores básicos (el silicio y el germanio)…
a) en la última capa tienen 2 electrones en orbitales tipo S i 2 electrones, en orbitales tipo P.
b) como el Si y el Ge tienen diferente peso atómico, el número de electrones en la última capa es también diferente.
c) si el material dopante es dador, la valencia del semiconductor pasa de cuatro a cinco al ganar un electrón.
d) si son intrínsecos no tienen electrones de valencia.
2. En un átomo...
a) los electrones tienden a acumularse en el nivel de mínima energía.
b) cuando un electrón cambia de nivel emite una onda de energía igual a la pérdida de energía cinética del electrón.
c) en un mismo orbital sólo pueden haber dos electrones de diferente espín.
d) dos electrones con los mismos números cuánticos se situarán necesariamente en orbitales diferentes.
3. En un semiconductor tipo N…
a) a temperaturas próximas a 0K (cero absoluto), su conductividad es inferior a la del mismo semiconductor intrínseco.
b) a temperatura ambiente, los átomos dopantes están ionizados positivamente.
c) los átomos dopantes denominan átomos aceptores.
d) la concentración de vacío es igual a la concentración intrínseca.
4. Un diodo de unión…
a) consiste en dos cristales de semiconductor, un tipo P y el otro tipo N, unidos por un extremo.
b) consiste en un único cristal de material semiconductor, con un parte dopada tipo P, la otra tipo N y una parte central sin ningún tipo de dopaje, denominada zona de transición.
c) resulta de la unión de dos tipos de semiconductor extrínseco con características diferentes: tipo de dopaje o tipo de dopante o diferente cantidad de dopante, etc.
d) consiste en un único cristal semiconductor con una parte dopada con átomos aceptores y la otra con átomos donadores.
5. La velocidad de generación de pares electrón hueco...
a) depende del material semiconductor y es independiente de la temperatura.
b) no sucede en conductores extrínsecos.
c) disminuye al aumentar la concentración intrínseca.
d) se puede aumentar alumbrando de manera conveniente la superficie del material.
Espero que puedan ayudarme a marcar las correctas y si puede ser con una breve explicación para que pueda entenderlo, puesto que siempre prefiero entender lo que estoy haciendo.
Gracias de antemano y muy bueno el foro
Estoy estudiando el grado en Ingeniería Informática y cursando la asignatura Fundamentos Físicos de la Informática (FFI), en donde estamos tratando tres temas relacionados con las características de los semiconductores tras haber estudiado los temas de las propiedades magnéticas i la inducción electromagnética.
Para el tema actual se presentan una serie de preguntas cortas tipo test relacionadas con los semiconductores (relacionadas con los materiales, conducción y elementos semiconductores) tales como:
1. Los átomos de los materiales semiconductores básicos (el silicio y el germanio)…
a) en la última capa tienen 2 electrones en orbitales tipo S i 2 electrones, en orbitales tipo P.
b) como el Si y el Ge tienen diferente peso atómico, el número de electrones en la última capa es también diferente.
c) si el material dopante es dador, la valencia del semiconductor pasa de cuatro a cinco al ganar un electrón.
d) si son intrínsecos no tienen electrones de valencia.
2. En un átomo...
a) los electrones tienden a acumularse en el nivel de mínima energía.
b) cuando un electrón cambia de nivel emite una onda de energía igual a la pérdida de energía cinética del electrón.
c) en un mismo orbital sólo pueden haber dos electrones de diferente espín.
d) dos electrones con los mismos números cuánticos se situarán necesariamente en orbitales diferentes.
3. En un semiconductor tipo N…
a) a temperaturas próximas a 0K (cero absoluto), su conductividad es inferior a la del mismo semiconductor intrínseco.
b) a temperatura ambiente, los átomos dopantes están ionizados positivamente.
c) los átomos dopantes denominan átomos aceptores.
d) la concentración de vacío es igual a la concentración intrínseca.
4. Un diodo de unión…
a) consiste en dos cristales de semiconductor, un tipo P y el otro tipo N, unidos por un extremo.
b) consiste en un único cristal de material semiconductor, con un parte dopada tipo P, la otra tipo N y una parte central sin ningún tipo de dopaje, denominada zona de transición.
c) resulta de la unión de dos tipos de semiconductor extrínseco con características diferentes: tipo de dopaje o tipo de dopante o diferente cantidad de dopante, etc.
d) consiste en un único cristal semiconductor con una parte dopada con átomos aceptores y la otra con átomos donadores.
5. La velocidad de generación de pares electrón hueco...
a) depende del material semiconductor y es independiente de la temperatura.
b) no sucede en conductores extrínsecos.
c) disminuye al aumentar la concentración intrínseca.
d) se puede aumentar alumbrando de manera conveniente la superficie del material.
Espero que puedan ayudarme a marcar las correctas y si puede ser con una breve explicación para que pueda entenderlo, puesto que siempre prefiero entender lo que estoy haciendo.
Gracias de antemano y muy bueno el foro
Comentario