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Semiconductor intrinseco extrinseco / diferencias y calculo

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  • 1r ciclo Semiconductor intrinseco extrinseco / diferencias y calculo

    Tengo por ejemplo este problema de semiconductores:
    Se tiene un semiconductor intrínseco de Si a T=300 K con una concentración intrínseca niSi las movilidades de electrones y huecos son, respectivamente, μn=0.13 m2/Vs y μp=0.05 m2/Vs, calcule qué tipo de impurezas se debe añadir y en qué concentración si se desea tener un semiconductor extrínseco tipo P con una conductividad el doble que la intrínseca.

    Hay pocas formulas para resolver estos ejercicios de







    La temperatura en estos ejercicios no se utiliza para calcular nada, pero me estoy haciendo un lio entre semiconductores tipo P y tipo N, electrones y huecos.
    Si en algún momento dice el problema que no tiene impurezas aceptoras, indica que tiene donadoras. ¿O que las impurezas aceptoras son mucho mayor que las donadoras, las donadoras pueden eliminarse? Me estoy haciendo mucho lío ya que de los apuntes teóricos no saco ninguna conclusión lógica de como resolverlos.
    [\tau\varphi]x=\sum_{k = 0}^n {P}_{ k}x{\frac{\mathrm{d}}{\mathrm{dx}}}^{n } \varphi](x)

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