Sobre semiconductores.

[Enzo]

Los portadores de carga en un semiconductor son los electrones y los "huecos" dejados por estos al escapar del átomo.
La concentración de electrones en un semiconductor usualmente se representa por la letra $n$ y la concentración de huecos por la letra $p$

Corriente en un semiconductor

En un semiconductor (a diferencia de un conductor) tenemos dos tipos de corrientes:
- Corriente de arrastre
- Corrientes de difusión

La corriente de arrastre el aquella originada por el movimiento de los portadores de carga debido a la influencia de un campo eléctrico (como en los conductores).
Tendremos dos corrientes de arrastre (una para cada tipo de portador).

Definimos la densidad de corriente de arrastre por:

$\vec J _p = e.p.\mu_p . \vec E$
para los huecos

$\vec J _h = -e.n.\mu_n . \vec E$
para los electrones.

Donde $\mu_n \ \ y \ \ \mu_p\ \ \$ son las movilidades de los portadores, representan la facilidad con que se mueven los portadores a través del material (tienen valores distintos para cada material). Generalmente se consideran constantes pero puede variar por diversos factores.

La corriente de difusión , presente en los semiconductores, es debido a la diferencia de concentración de portadores en el material. Esto origina una tendencia (de los portadores) a distribuirse de manera uniforme generando entonces un movimiento de cargas.

Definimos la densidad de corriente de difusión:

$\vec J_{D_p} = -e.D_p .\nabla p$
$\vec J_{D_n} = e.D_n .\nabla n$

$\nabla n \ \ y \ \ \nabla p$
son los gradientes de las concentraciones de portadores.
$D_n \ \ y \ \ D_p$
se llaman constantes de difusión de electrones y huecos respectivamente y al igual que las movilidades se pueden considerar constantes (aunque pueden variar).

Continuará ...

Muy bueno tu aporte.

Te hago una pregunta: ¿De qué depende la corriente de saturación inversa en el diodo? ¿Solo de la temperatura?

si acuerdate que esta corriente es formada por los pares de electron-hueco por efecto de la temperatura

sabes mucho , q bueno , tengo una duda sobre la corriente de difucion , entiendo q los e- en la banda de valencia estaran esperando una energia externa para salir de su orbita , la mas alejada del atomo y asi irse por ahi dejando un hueco q atraera otro e- atraido debilmente por su nucleo o q este paseando por ahi , ahora , supongamos q calentamos al semiconductor , este creara muchos electrones libres por la vibracion en el cristal , se dice q si en un extremo se logra juntar muchos e- , y se crea un gradiente , osea , una direccion para estos e- , se desplazaran en esta direccion debido a que hay una diferencia de cargas , mi duda es , ? como asi logran dispararse en un sentido creando la corriente de difucionn , ?? ........... suerte con el tema de semiconductores