El problema dice:
En un dispositivo semiconductor MOS (Metal-óxido semiconductor) se hace crecer una
capa delgada de SiO2 de 2.20 Mg/m3 de densidad, sobre un "chip" u oblea de mono cristal de
Silicio. ¿Cuántos átomos de Si y también cuántos de O hay por mm2 de la capa de óxido?
Suponga que el espesor de la capa es 100 nm.
R/ 2.21 E +15 átomos de Si y 4.41 E +15 átomos de O.
Primero lo que hice fue en listar los datos
Si ; 28.08 g/mol
O ; 15.99 g/mol
La masa molar de Si = 28.08+2(15.99) = 60.06 g/mol
La = 2.2 mg/ = 0.0022 g/
Con estos datos busque que forma tiene una oblea y al parecer es una placa circular . La idea que se me viene para resolver este problema es que esta hay que determinar el volumen de la oblea dado que dan el espesor de la capa de Si y esa seria como una elevación h y luego buscar el radio supongo oh algo así pero me gustaría que me guiaran para realizarlo
En un dispositivo semiconductor MOS (Metal-óxido semiconductor) se hace crecer una
capa delgada de SiO2 de 2.20 Mg/m3 de densidad, sobre un "chip" u oblea de mono cristal de
Silicio. ¿Cuántos átomos de Si y también cuántos de O hay por mm2 de la capa de óxido?
Suponga que el espesor de la capa es 100 nm.
R/ 2.21 E +15 átomos de Si y 4.41 E +15 átomos de O.
Primero lo que hice fue en listar los datos
Si ; 28.08 g/mol
O ; 15.99 g/mol
La masa molar de Si = 28.08+2(15.99) = 60.06 g/mol
La = 2.2 mg/ = 0.0022 g/
Con estos datos busque que forma tiene una oblea y al parecer es una placa circular . La idea que se me viene para resolver este problema es que esta hay que determinar el volumen de la oblea dado que dan el espesor de la capa de Si y esa seria como una elevación h y luego buscar el radio supongo oh algo así pero me gustaría que me guiaran para realizarlo
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