Otras carreras examen

[dmadrid]

hola, necesito ayuda para saber si estas respuestas estan bien, ya que no tengo las respuestas y me examino la semana que viene, ¿podeis ayudarme?

1. pura teoria, creo que es la A

2. F=2,7 *10^-5 N de repulsion "resp. a"

3. E=4,8 v/m "resp. a"

4. E= 678 Kv/m "resp. b"

5. F= 6,4 * 10^-13 "resp. b"

6. W=1504404 J= 0,42 Kwh "resp. b"

7. n1=1,2 * sen 70 / sen 47 = 1,54 "resp. a"

8. i=1,6A "resp. a"

9. t=Rth * C = 4.8 * 2*10^-3 = 9,6 mS "resp. d"

10. p=2,79 w

11. Vce=9v

12. otra de pura teoria, esta no la se

muchas gracias por vuestra ayuda y un saludo.

[electr0n]

Re: examen

Hola dmadrid, majo

A ver, voy a intentar resumirte todas las respuestas y espero no equivocarme en nada:

1) OK, es la A; las líneas de campo eléctrico son abiertas.

2) La fuerza de repulsión es $3,4\cdot 10^{-4}N$ (respuesta D).

3) OK.

4) Yo diría que es la D porque no especifica si esa distancia es en el eje de simetría o en otro punto más hacia los bordes; como el campo no es uniforme, no se puede calcular su valor con los datos que nos dan.

5) No, es la A porque si el campo y la velocidad tienen la misma dirección, la fuerza de Lorentz es nula (repasa el producto vectorial).

6) OK, respuesta B (hay que hacer unos cuantos cálculos).

7) No me sale ninguno de los 3 primeros (respuesta D).

... y mañana sigo, que me voy de cena

Saludos

[dmadrid]

Re: examen

hola electron, tengo nuevas dudas en este examen:
* Cuando puse las respuestas no me di cuenta que la pregunta 3, al estar la distancia en cm, ¿no seria la respuesta d?.
* el la pregunta 2, se me olvido elevar al cuadrado la distancia a pesar de que puse la formula bien.
* en la pregunta 4, en clase hicimos una muy parecida con la formula E=q/(s*2*8,854*10^-12), ¿no pudo usar esa formula aqui?
* en la pregunta 5 emplee la formula F=q(V*B) que como me daban el modulo, y estaban en la misma direccion, hice un producto escalar pensando que estaba bien.
* ¿me puedes explicar como has echo la pregunta 7?, ¿como se calculan los angulos? porque imagino que la formula n1*sen1=n2*sen2 es la que hay que emplear, ¿no?

[electr0n]

Re: examen

Hola de nuevo!

En la pregunta 2 sale la respuesta A si escribes convenientemente las distancias en metros y las elevas al cuadrado.

La 4 a mi juicio tiene trampa de la buena, pues tal y como está formulada yo no sabría decir cuál es el campo (no especifica si es un borde o la zona del eje, por eso siendo estrictos diría que la respuesta es la D); sin embargo, cuando el plano es muy grande comparado con la distancia que te dan, probablemente en clase te habrán dicho que el campo se puede aproximar a

$\displaystyle E\simeq\frac{\sigma}{2\epsilon_0}=\frac{Q}{2S\epsilon_0}$

donde la primera expresión corresponde al campo creado por un plano infinito y a cualquier distancia. Si admitimos ese caso, efectivamente la respuesta es la B.

Respecto a la 5, ten mucho cuidado de no dar patadas a las matemáticas sin meditarlo antes... La fuerza de Lorentz es siempre un PRODUCTO VECTORIAL, te den los módulos o no te los den. En este caso, como la dirección es la misma, la fuerza es nula porque $sen\pi=0$.

He repasado la 7 y metí la pata con la calculadora. Lo has hecho bien, sale n=1,54 (respuesta A).

Y sigo...

8) OK.

9) OK.

10) OK, son 2,79W (transistor en zona activa).

11) OK.

12)

- Una impureza es un elemento que se añade ("dopaje") en pequeña cantidad al silicio o al germanio para modificar la densidad de portadores y transformarlo en semiconductor tipo "N" (exceso de electrones libres) o tipo "P" (exceso de huecos); si se añade un elemento de valencia 5 como fósforo, arsénico o boro, el silicio se dopa como N, por lo que la respuesta A es falsa. Echa un vistazo a http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

- La concentración intrínseca es la cantidad de portadores libres de carga por unidad de volumen que hay en un material no dopado. Físicamente depende de la configuración electrónica del material y de la temperatura, pues la agitación térmica produce un aumento de la densidad de cargas susceptibles de ser desplazadas por una diferencia de potencial. Claramente la respuesta B también es falsa. Mira aquí http://es.wikipedia.org/wiki/Semicon...tr.C3.ADnsecos

- La C es verdadera. Un dopaje tipo N aumenta la concentración de electrones libres y éstos se convierten en los portadores mayoritarios de carga. Mira http://es.wikipedia.org/wiki/Portador_mayoritario

- La D es claramente falsa. El silicio o el germanio a baja temperatura son básicamente aislantes, pero se convierten en semiconductores (que así por encima se pueden definir como un término medio entre aislante y conductor) cuando se les añaden impurezas. Esto es lo mismo que decir que su conductividad aumenta o su resistividad disminuye una vez son dopados, independientemente además de si los portadores son mayoritarios o no.

Bueno, creo que en general el examen no ha ido mal

Saludos!

[dmadrid]

Re: examen

muchas gracias electron, por ahora ya no preguntare mas de este tema, voy a terminar de memorizar las ochocientas mil formulas que entran en el examen y repasar algunos ejercicios. a partir de la semana que viene empezare a preguntar en el foro de estadistica. Un saludo y lo dicho, muchas gracias.

[electr0n]

Re: examen

De nada, hombre.

Comprendo que estés agobiado con las fórmulas, pero ya sabes que mi consejo es intentar comprenderlas en lugar de memorizarlas como un loro. Si quieres, puedes abrir un hilo para Electromagnetismo y planteas las ecuaciones más importantes para tu examen, así vemos si hay dudas en alguna.

Un saludo y suerte!