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Traigo este post aqui aunque ya lo puse en otro subforo, igualmente no se si aqui tambien esta bien puesto o va en otro subforo.
Bien, pues tengo que estudiar este tema y tal y estoy bastante agobiado, tengo el examen la semana que viene y hay dudas.
No soy un iluminati de la fisica, de hecho mis estudios apenas se basan en la fisica pero hay que pasar un minimo, por esa razon mi nivel es muy muy bajo y bueno, por eso es preferible respuestas cortas y simples sin demostraciones.
En primer lugar, una pregunta teorica. La pregunta "a" me la sé. Ahora mismo no encuentro la hoja pero se llama "zona de depcion" o also similar". En el ejercicio pone razonar, y yo deduzco que es la zona donde hacen contacto la union PN. De las demas preguntas no tengo ni idea.
No necesito respuestas extensas, que la fisica no es lo mio, jejeje.
Por otro lado, tengo ejercicios practicos, de los cuales tengo las siguientes dudas.
--Un disco de silicio es dopado con 10^21 atomos de fósforo/m^3
Calcular la concentracion de portadores mayoritarios y minoritarios.
Tengo aqui una serie de formulas pero en ninguna pone portadores mayoritarios o minoritarios. ¿alguien sabe alguna formula que me pueda servir?
El siguiente es una duda puntual, hallamos "a" y despues nos dicen que hallemos la concentracion de atomos en B (grupo III). ¿que significa eso? ¿significa que B es la P de la union? ¿el germanio es el N de la union? ¿significa eso que el germanio es del grupo V al igual que el silicio?
-- a) Calcular, para una barra de Germanio puro de longitud L = 10 mm y
sección s = 1 mm2 , la concentración de pares electrón-hueco y su resistencia eléctrica
b) Calcular, con qué concentración de átomos de B (grupo III) tenemos que dopar dicho
semiconductor para que su resistencia eléctrica cambie a 8 Ω.
Tengo algunas dudas mas pero tengo problemas para abrir el pdf, mañana seguire. Como veis estoy mas perdido que un pulpo en un garaje.
Espero vuestras respuestas.
Muchas gracias y un saludo.
Bien, pues tengo que estudiar este tema y tal y estoy bastante agobiado, tengo el examen la semana que viene y hay dudas.
No soy un iluminati de la fisica, de hecho mis estudios apenas se basan en la fisica pero hay que pasar un minimo, por esa razon mi nivel es muy muy bajo y bueno, por eso es preferible respuestas cortas y simples sin demostraciones.
En primer lugar, una pregunta teorica. La pregunta "a" me la sé. Ahora mismo no encuentro la hoja pero se llama "zona de depcion" o also similar". En el ejercicio pone razonar, y yo deduzco que es la zona donde hacen contacto la union PN. De las demas preguntas no tengo ni idea.
No necesito respuestas extensas, que la fisica no es lo mio, jejeje.
Por otro lado, tengo ejercicios practicos, de los cuales tengo las siguientes dudas.
--Un disco de silicio es dopado con 10^21 atomos de fósforo/m^3
Calcular la concentracion de portadores mayoritarios y minoritarios.
Tengo aqui una serie de formulas pero en ninguna pone portadores mayoritarios o minoritarios. ¿alguien sabe alguna formula que me pueda servir?
El siguiente es una duda puntual, hallamos "a" y despues nos dicen que hallemos la concentracion de atomos en B (grupo III). ¿que significa eso? ¿significa que B es la P de la union? ¿el germanio es el N de la union? ¿significa eso que el germanio es del grupo V al igual que el silicio?
-- a) Calcular, para una barra de Germanio puro de longitud L = 10 mm y
sección s = 1 mm2 , la concentración de pares electrón-hueco y su resistencia eléctrica
b) Calcular, con qué concentración de átomos de B (grupo III) tenemos que dopar dicho
semiconductor para que su resistencia eléctrica cambie a 8 Ω.
Tengo algunas dudas mas pero tengo problemas para abrir el pdf, mañana seguire. Como veis estoy mas perdido que un pulpo en un garaje.
Espero vuestras respuestas.
Muchas gracias y un saludo.
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