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Hola a todos, tengo que entregar un problema y me he quedado atascado haber si me podrian echar una mano
Este es el problema:
Entre las caras opuestas de sección 1 cm2
, de una barra paralelepipédica de 3 cm de longitud
a 300 K, se aplican 5 V, observándose que la intensidad que atraviesa la muestra es 130 mA
a) Calcular la resistividad de la muestra.
La muestra es Si (EC - EV = 1,1 eV) impurificado con una concentración de 1015 átomos cm-3
de B (EA - EV = 0,01 eV). La densidad intrínseca del Si a 300 K es 1,38 x 1010 portadores
cm-3
. Calcular a esa temperatura:
b) Las concentraciones de portadores.
c) La movilidad de los huecos
d) la velocidad de los huecos.
Sabiendo que a esa temperatura las movilidades de electrones y huecos del Si intrínseco son:
µn = 1200 cm/Vs
y µp = 250 cm2/V s
e) Qué concentración y qué tipo de impurezas hay que añadir para que la conductividad de la
muestra resulte mínima a esa temperatura?
Mi idea es poder sacar con la energia de bandas la concentracion de huecos porque es tipo p y luego poder relacionarlo con n*p=ni y poder sacar la concentracion de portadores pero el problema es que no se como relacionar la energia de banda con la concentracion de huecos.
¿Puede ayudarme alguien por favor? Muchas gracias
Este es el problema:
Entre las caras opuestas de sección 1 cm2
, de una barra paralelepipédica de 3 cm de longitud
a 300 K, se aplican 5 V, observándose que la intensidad que atraviesa la muestra es 130 mA
a) Calcular la resistividad de la muestra.
La muestra es Si (EC - EV = 1,1 eV) impurificado con una concentración de 1015 átomos cm-3
de B (EA - EV = 0,01 eV). La densidad intrínseca del Si a 300 K es 1,38 x 1010 portadores
cm-3
. Calcular a esa temperatura:
b) Las concentraciones de portadores.
c) La movilidad de los huecos
d) la velocidad de los huecos.
Sabiendo que a esa temperatura las movilidades de electrones y huecos del Si intrínseco son:
µn = 1200 cm/Vs
y µp = 250 cm2/V s
e) Qué concentración y qué tipo de impurezas hay que añadir para que la conductividad de la
muestra resulte mínima a esa temperatura?
Mi idea es poder sacar con la energia de bandas la concentracion de huecos porque es tipo p y luego poder relacionarlo con n*p=ni y poder sacar la concentracion de portadores pero el problema es que no se como relacionar la energia de banda con la concentracion de huecos.
¿Puede ayudarme alguien por favor? Muchas gracias