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Cálculo de bandas de conducción y valencia de un semiconductor ficticio

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  • 2o ciclo Cálculo de bandas de conducción y valencia de un semiconductor ficticio

    No logro plantear el siguiente problema:

    Un semiconductor ficticio que cristaliza en una red cúbica de constante a=0.15nm tiene un índice de refracción de 2.3. Este semiconductor es de "gap" directo y tiene un ancho de banda prohibida de 0.5 eV, hallándose el nivel de Fermi 100 meV por encima de la mitad de la banda prohibida. La masa efectiva de electrones y huecos es de 0.1 m0 y 0.1 m0 respectivamente, siendo m0 la masa del electrón libre en reposo. Aproximaremos el momento dipolar eléctrico por (1,2,3)*1E-30 C*m, el mismo para cualquier transición óptica en el espacio recíproco (momento dipolar eléctrico independiente de k).

    Calcula el coeficiente de abosorción del semiconductor para una temperatura de 300 K y una polarización de la luz a lo largo del eje Y.

    He llegado a la conclusión de que para calcular el coeficiente de absorción necesito la estructura de bandas de la banda de conducción y valencia en el espacio recíproco: Ec(k) y Ev(k). Con estos datos, ¿a alguien se le ocurre como se podría calcular? ¿Qué método utilizar? ¿Algún tipo de planteamiento?

    Gracias de antemano.

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