2o ciclo ejercicio.como se hace?

[pitufina]

Hola, necesito que alguien me ayude a resolver este ejercicio...

"Tengo un sólido semiconductor con Nd=5x10^15 impurezas/cm^3.Estas impurezas tienen un nivel energético que se encuentra 45 meV por debajo dle mínimo de la banda de conducción.Encuentra la siguiente relación:sigma(600K)/sigma(300K)"
Gracias.

[aLFRe]

Re: ejercicio.como se hace?

"Tengo un sólido semiconductor con Nd=5x10^15 impurezas/cm^3.Estas impurezas tienen un nivel energético que se encuentra 45 meV por debajo dle mínimo de la banda de conducción.Encuentra la siguiente relación:sigma(600K)/sigma(300K)"

Mira a ver si algo de lo que hemos puesto
aquí
te da una idea.

Hay una cosa que puede ser interesante y es que a temperatura ambiente ( unos 300 K)
las impurezas están ionizadas ( mecanismo extrínseco )
y son las que determinan la conductividad del semiconductor.
A temperaturas muy altas como el mecanismo extrínseco ya se ha agotado
la contribución a la conductividad vuelve a ser los pares electrón hueco
que se generan térmicamente.
A altas temperaturas, el comportamiento del semiconductor tiende al intrínseco.

Saludos.

AÑADIDO

En el otro hilo indicado dije que las ecuaciones para el semiconductor intrínseco:
$\sigma_i = e ( n_i \mu_n + p_i \mu_p)=e n_i ( \mu_n+\mu_p)$
y para temperaturas altas ( 600 K ) ésta ( generación térmica de pares electrón de conducción/hueco )
debe de ser la principal contribución a la conductividad
junto con la ecuación
$n_i=( 2,33\times10^{43})(\frac{m_nm_p}{m_e})^{\frac{3}{2}}\exp{-\frac{E_g}{K_BT}}$

A temperaturas moderadas ( 300K) la conductividad viene dada por el mecanismo extrínseco.
En el caso del problema se tienen impurezas donantes
$N_d \to N_d+ + e^-$
y la conductividad sería aproximadamente
$\sigma = e N_d \mu_n$

El cociente entre ambas es
$\frac{\sigma_i( 600K)}{\sigma( 300K)}=\frac{e n_i ( 600K)( \mu_n( 600K)+\mu_p( 600K))}{e N_d \mu_n( 300K) }$
puedes substituir $n_i$ ahí de la otra fórmula que puse antes.

No sé si esperan que llegues a esta expresión ( es una aproximación ) simplemente,
porque para terminar el problema tendría que recordar una expresión para las movilidades en función de T
y no lo recuerdo.

Saludos.