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Una barra semiconductora cilíndrica de Silicio cuyas dimensiones son 10 cm de longitud y 2 cm de diámetro. Siendo el numero electrones libres en el Silicio puro 10^10 cm-3 a temperatura ordinaria. Si por cada millón de átomos reemplazamos dos átomos de silicio por dos átomos de arsénico.
a) Calcular los electrones libres existirán por centímetro cúbico en el silicio extrínseco
b) Si entre los extremos de la barra semiconductora se establece una diferencia de potencial de 1 V, calcular la densidad de corriente de arrastre.
c) En la situación indicada en b) calcular el campo eléctrico en el seno del semiconductor y la intensidad de corriente.
Otros datos: La densidad del Silicio es dSi = 2,33 g/cm3 y su masa atómica es 28,1 g. μn = 1400 cm2/(V·s).
Holaa, me he topado con este ejercicio y he podido hacer los apartados a y c, pero el b me está dando problemas y no termino de poder plantearlo del todo.
El a me da n = 6,23 * 10^41 cm-3 y el c I = 100 A
Gracias
a) Calcular los electrones libres existirán por centímetro cúbico en el silicio extrínseco
b) Si entre los extremos de la barra semiconductora se establece una diferencia de potencial de 1 V, calcular la densidad de corriente de arrastre.
c) En la situación indicada en b) calcular el campo eléctrico en el seno del semiconductor y la intensidad de corriente.
Otros datos: La densidad del Silicio es dSi = 2,33 g/cm3 y su masa atómica es 28,1 g. μn = 1400 cm2/(V·s).
Holaa, me he topado con este ejercicio y he podido hacer los apartados a y c, pero el b me está dando problemas y no termino de poder plantearlo del todo.
El a me da n = 6,23 * 10^41 cm-3 y el c I = 100 A
Gracias